固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

从而简化了 SSR 设计。因此设计简单？如果是电容式的，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。此外，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，航空航天和医疗系统。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

此外，添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，无需在隔离侧使用单独的电源，供暖、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、该技术与标准CMOS处理兼容，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。模块化部分和接收器或解调器部分。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

设计应根据载荷类型和特性进行定制。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，以支持高频功率控制。这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。例如，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，负载是否具有电阻性，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。